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時代は三次元へ フラッシュメモリの進化


「BiCS FLASH™」の未来への可能性

「BiCS FLASH™」は48層積層プロセスを用いたほか、NAND型フラッシュメモリの進化を支えた「多値化」の技術も取り入れることで256ギガビット(32ギガバイト)という記憶容量を実現した。さらに、書き込みの際のステップ数を減らしているため、従来に比べ消費電力を抑えることにも成功している。「積層化」により、今後ますますフラッシュメモリの大容量化と省エネ化が進むとみられるが、3次元フラッシュメモリにはどのような可能性があるのだろうか。

現在も3次元フラッシュメモリの「積層化」と「微細化」の開発は進められおり、数年後には1テラビット(Tb)(=約1,000ギガビット(Gb))クラスでの製品化が目指されている。この技術が実現されれば、パソコンなどの記憶装置において、HDDからフラッシュメモリを使用した数cmサイズのパッケージに入ったSSDへの置き換えがさらに進むだろう。

また、ビックデータの活用が広がったことで増加しているデータセンターでのエンタープライズSSDの利用も増えていくだろう。このように、今後も継続して求められるメモリの大容量化、小型化など多様な市場ニーズに応えるため、SSDを中心に、スマートフォン、タブレット、メモリカードなどのコンシューマ製品やデータセンター向けエンタープライズSSDなど、様々な製品群が展開されていく。3次元フラッシュメモリの登場で、半導体メモリへの注目度がいよいよ高まってきている。

四日市工場

四日市工場 新・第2製造棟

このようにフラッシュメモリの需要は今後も拡大が続くとみられている。東芝では世界最大規模のフラッシュメモリ工場である四日市工場での3次元フラッシュメモリ量産を2015年度下期に開始する。既存の製造棟に加えて、2016年前半に竣工予定の新・第2製造棟にはメモリセルを積層する専用工程向けの製造装置を設置し、「BiCS FLASH™」を本格量産する予定だ。

2007年に3次元積層構造を用いたフラッシュメモリを世界で初めて公表して以来、生産性の最適化を含めて開発してきた成果が、いま着実に実を結ぼうとしている。

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